دانلود مقالات انگلیسی درباره ترانزیستور با ترجمه فارسی

عنوان ترجمه فارسی

ترانزیستور تک الکترونی: کاربردها و مشکلات

نویسنده/ناشر/نام مجله :

International journal of VLSI design & Communication Systems

سال انتشار

2010

کد محصول

1014093

تعداد صفحات انگليسی

6

تعداد صفحات فارسی

9

قیمت بر حسب ریال

968,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 183 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Single electron transistor: applications & problems

عنوان ترجمه فارسی

عملیات حسابی تحمل پذیر در برابر خطا با شناسایی و تصحیح خطاهای متعدد

نویسنده/ناشر/نام مجله :

22nd IEEE International Symposium on Defect and Fault-Tolerance in VLSI Systems

سال انتشار

2007

کد محصول

1013756

تعداد صفحات انگليسی

9

تعداد صفحات فارسی

20

قیمت بر حسب ریال

1,265,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 772 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Fault Tolerant Arithmetic Operations with Multiple Error Detection and Correction

عنوان ترجمه فارسی

ساخت ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا GaAs/AlGaAs با گیت های 250 نانومتری، با استفاده از لیتوگرافی جابجاگر فاز همدیس

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Sensors and Actuators

سال انتشار

2000

کد محصول

1013683

تعداد صفحات انگليسی

5

تعداد صفحات فارسی

10

قیمت بر حسب ریال

968,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 626 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Fabrication of GaAsrAlGaAs high electron mobility transistors with 250 nm gates using conformal phase shift lithography

عنوان ترجمه فارسی

T-CNTFET با همپوشانی گیت-درین و دو گیت فلزی مختلف: ساختاری جدید با افزایش جریان اشباع

نویسنده/ناشر/نام مجله :

ECS Journal of Solid State Science and Technology

سال انتشار

2016

کد محصول

1013008

تعداد صفحات انگليسی

5

تعداد صفحات فارسی

15

قیمت بر حسب ریال

968,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 971 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

T-CNTFET with Gate-Drain Overlap and Two Different Gate Metals: A Novel Structure with Increased Saturation Current

عنوان ترجمه فارسی

دریچه های گردان مبتنی بر تونل زنی تک الکترونی: مدل سازی و کاربردها

نویسنده/ناشر/نام مجله :

IEEE, 13th International Conference on Nanotechnology IEEE-NANO

سال انتشار

2013

کد محصول

1012805

تعداد صفحات انگليسی

6

تعداد صفحات فارسی

16

قیمت بر حسب ریال

968,000

نوع فایل های ضمیمه

pdf+word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 671 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Single-electron tunneling based turnstiles: Modeling and applications

عنوان ترجمه فارسی

تحلیل شدت نسبی نویز دستگاه های دارای اجزای اپتوالکترونیک متشکل از ترانزیستور نوری با پیوند ناهمگون و دیود لیزری

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Solid-Srare Electronics

سال انتشار

1997

کد محصول

1012632

تعداد صفحات انگليسی

7

تعداد صفحات فارسی

20

قیمت بر حسب ریال

880,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 718 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Analysis for relative intensity noise of optoelectronic integrated device by heterojunction phototransistor and laser diode

عنوان ترجمه فارسی

مدارهای سه گانه چند-Vt توسط تکنولوژی ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی برای کاربردهای کم ولتاژ و توان پایین

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Journal of Computational and Theoretical Nanoscience

سال انتشار

2014

کد محصول

1012183

تعداد صفحات انگليسی

9

تعداد صفحات فارسی

20

قیمت بر حسب ریال

880,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 3 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Multi-Vt Ternary Circuits by Carbon Nanotube Filed Effect Transistor Technology for Low-Voltage and Low-Power Applications

عنوان ترجمه فارسی

بهینه‌سازی پارامترهای CNFET برای مدارهای دیجیتالی پیشرفته

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Advances in Materials Science and Engineering

سال انتشار

2016

کد محصول

1011738

تعداد صفحات انگليسی

10

تعداد صفحات فارسی

19

قیمت بر حسب ریال

968,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 2 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Optimization of CNFET Parameters for High Performance Digital Circuits

عنوان ترجمه فارسی

ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی برای کاربردهای آنالوگ پیشرفته: یک روش طراحی بهینه

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Microelectronics Journal

سال انتشار

2010

کد محصول

1011733

تعداد صفحات انگليسی

8

تعداد صفحات فارسی

24

قیمت بر حسب ریال

1,210,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 2 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Carbon nanotube ﬁeld effect transistors for high performance analog applications: An optimum design approach

عنوان ترجمه فارسی

مدل پیوسته شارژشونده ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن با طول کانال بزرگ

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Solid-State Electronics

سال انتشار

2013

کد محصول

1010700

تعداد صفحات انگليسی

5

تعداد صفحات فارسی

14

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 1 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors

عنوان ترجمه فارسی

مشخصه های الکتریکی ترانزیستورهای نانوسیم Si بدون پیوند با طول گیت 20 نانومتر

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Solid-State Electronics

سال انتشار

2012

کد محصول

1010688

تعداد صفحات انگليسی

4

تعداد صفحات فارسی

8

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 2 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Electrical characteristics of 20-nm junctionless Si nanowire transistors

عنوان ترجمه فارسی

مدل تحلیلی یکپارچه جریان قابل اجرا در حالت تجمعی (بدون پيوندگاه) وحالت معکوس MOSFET با ساختارهای متقارن و نامتقارن گیت دوگانه

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Solid-State Electronics

سال انتشار

2013

کد محصول

1010687

تعداد صفحات انگليسی

4

تعداد صفحات فارسی

11

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 2 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

A unified analytical continuous current model applicable to accumulation mode (junctionless) and inversion mode MOSFETs with symmetric and asymmetric double-gate structures

عنوان ترجمه فارسی

اجرای منطق سه گانه و برنامه های کاربردی آن با استفاده از CNTFET

نویسنده/ناشر/نام مجله :

IEEE International Conference on Advanced Electronic Systems

سال انتشار

2013

کد محصول

1010508

تعداد صفحات انگليسی

3

تعداد صفحات فارسی

10

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 889 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Ternary logic implementation and its applications using CNTFET

عنوان ترجمه فارسی

تحلیل اثرات دما بر مشخصه های I-V در ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با ساختار ناهمگون

نویسنده/ناشر/نام مجله :

IEEE Journal of the Electron Devices Society

سال انتشار

2016

کد محصول

1010228

تعداد صفحات انگليسی

8

تعداد صفحات فارسی

22

قیمت بر حسب ریال

1,314,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 1 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Analysis of Temperature Dependent Effects on I–V Characteristics of Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors

عنوان ترجمه فارسی

مطالعه مقایسه‌ای بین ترانزیستورهای دو گیته مبتنی بر نانو روبان گرافنی

نویسنده/ناشر/نام مجله :

Journal of Computational Electronics

سال انتشار

2008

کد محصول

1008169

تعداد صفحات انگليسی

4

تعداد صفحات فارسی

10

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 689 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Computational study of double-gate graphene nano-ribbon transistors

عنوان ترجمه فارسی

بحث تحلیلی در مورد ترانزیستور تک الکترونی

نویسنده/ناشر/نام مجله :

International Journal of Soft Computing and Engineering

سال انتشار

2012

کد محصول

1008105

تعداد صفحات انگليسی

6

تعداد صفحات فارسی

13

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 531 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Analytical Discussion of Single Electron Transistor

عنوان ترجمه فارسی

ناپایداری الکتریکی a-IGZO TFTهای جفت گیت با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی

نویسنده/ناشر/نام مجله :

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

سال انتشار

2014

کد محصول

1008075

تعداد صفحات انگليسی

7

تعداد صفحات فارسی

17

قیمت بر حسب ریال

940,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 2 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Electrical Instability of Double-Gate a-IGZO TFTs With Metal Source/Drain Recessed Electrodes

عنوان ترجمه فارسی

ترانزيستورهاي نانوسيم بدون اتصال

نویسنده/ناشر/نام مجله :

NATURE NANOTECHNOLOGY

سال انتشار

2010

کد محصول

1003290

تعداد صفحات انگليسی

5

تعداد صفحات فارسی

15

قیمت بر حسب ریال

841,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 2 مگا بایت

عنوان مقاله انگليسی

Nanowire transistors without junctions

عنوان ترجمه فارسی

سوئینگ زیرآستانه (زیر اشباع) ترانزیستور ماسفت برای مشخصه های ولتاژ 60 mV/dec در دمای 300 K

نویسنده/ناشر/نام مجله :

VLSI Technology Systems and Applications (VLSI-TSA), 2010 International Symposium

سال انتشار

2010

کد محصول

1002558

تعداد صفحات انگليسی

2

تعداد صفحات فارسی

9

قیمت بر حسب ریال

572,000

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 442 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

On the 60 mV/dec @300 K Limit for MOSFET Subthreshold Swing

عنوان ترجمه فارسی

تنظیم هارمونیک اسیلاتور RF با استفاده از ترانزیستورهای گالیم نیترید HEMT

نویسنده/ناشر/نام مجله :

IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS

سال انتشار

2012

کد محصول

1002550

تعداد صفحات انگليسی

3

تعداد صفحات فارسی

10

قیمت بر حسب ریال

676,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 701 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

Harmonic-Tuned High Efficiency RF Oscillator Using GaN HEMTs

عنوان ترجمه فارسی

وابستگی کلی به بایاس در جریان اضافی تولید شده در اثر خود گرمایش در ترانزیستورهای پوسته-نازک(TFT) نوع a-Si:H

نویسنده/ناشر/نام مجله :

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

سال انتشار

2007

کد محصول

1001336

تعداد صفحات انگليسی

7

تعداد صفحات فارسی

16

قیمت بر حسب ریال

940,500

نوع فایل های ضمیمه

Pdf+Word

جزئیات بیشتر و دانلود - حجم فایل : 906 کیلو بایت

عنوان مقاله انگليسی

مقاله انگلیسی ترانزیستور با ترجمه

لیست مقالات ترجمه شده

ترجمه البرز

سایر خدمات ما

بیشتر بدانید

تماس با شعبه تهران

شعبه تهران

تماس با شعبه کرج

پشتیبانی 24 ساعته