Abstract
A new charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors (SDGJLTM) is proposed and validated with simulations for doping concentrations of 5 × 1018 and 1 × 1019 cm−3, as well as for layer thicknesses of 10, 15 and 20 nm. The model is physically-based, considering both the depletion and accumulation operating conditions. Most model parameters are related to physical magnitudes, and the extraction procedure for each of them is well established. The model provides an accurate description of the transistor behavior in all operating conditions. Among important advantages with respect to previous models are the inclusion of the effect of the series resistance and the fulfilment of the requirement of being symmetrical with respect to Vd = 0 V
چکیده
مدل پیوسته شارژشونده برای ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن با طول کانال بزرگ (SDGJLTM) پیشنهاد شده است و با شبیه سازی برای مقادیر غلطت های دوپینگ 5 × 1018 و 1 × 1019 cm−3 و همچنین برای ضخامت لایه از 10، 15 و 20 نانومتر ارزیابی شده است. این مدل یک مدل فیزیکی است که هردو موضوع کاهش مصرف و تجمع یا انباشتگی شرایط عملیاتی را در نظر گرفته است. اکثر پارامترهای مدل به کمیتهای فیزیکی مربوط می شود، و رویکرد استخراج برای هر یک از آنها به خوبی بیان شده است. این مدل توصیف دقیقی از رفتار ترانزیستور در تمام شرایط عملیاتی خواهد داشت. در مقایسه با مدل های قبلی مزایای این مدل گنجاندن اثر مقاومت سری و تححق بخشیدن به موضوع تقارن نسبت به Vd = 0 Vاست.
-1مقدمه
مقياس گذارى ترانزیستورMOS به کاهش کنترل الکترواستاتیکی از بارهای الکتریکی در کانال ها کمک می کند. برای ترانزیستورهای با طول کانال برابر ده ها نانومتر، با تکنولوژی های ساده تر، ترانزیستور بدون پیوند (JLTs) با غلظت دوپینگ غلظت ثابت از سورس به درین و احاطه شده توسط گیت، یک راه حل امیدوار کننده را نشان می دهند [1]...