Abstract
The electrical stability of double-gate (DG) and single-gate (SG) amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs) with metal source/drain recessed electrodes on glass is investigated and compared. In the device structure of the a-IGZO TFTs, both top gate and bottom gate are defined by lithography, allowing independent or synchronized biasing. Bias temperature stress (BTS) are performed on SG a-IGZO TFTs and DG a-IGZO TFTs with synchronized gate bias condition. Under both positive and negative BTS, synchronized DG a-IGZO TFTs demonstrate much smaller ΔVTH shift than SG a-IGZO TFTs
چکیده
پایداری الکتریکی ترانزیستورهای تک گیت و جفت گیت لایه نازک ایندیوم-گالیوم-زینک-اکسید بدون شکل (a-IGZO TFT) با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی روی شیشه، بررسی و مقایسه شد. در ساختار عنصر a-IGZO TFT ها، هر دو گیت بالایی و پایینی با استفاده از لیتوگرافی تعریف شدند که بایاسینگ سنکرون شده یا مستقل را مجاز می کند. تنش دمایی بایاس BTS بر روی SG a-IGZO TFT ها و DG a-IGZO TFT ها با شرط بایاس گیت سنکرون شده انجام شد. تحت BTS مثبت و منفی، DG a-IGZO TFT سنکرون شده، شیفت ΔVTH کوچکتری نسبت به SG a-IGZO TFT نشان داد.
1-مقدمه
علاقمندی قابل توجهی برای بکارگیری a-IGZO TFTها در کاربردهایی از قبیل AM-LCDها [1] و AM-OLEDها [2) دارد. از قبیل ی ()] وجود دارد. چراکه در فاز بدون شکل، تحرک پذیری بالایی داشته و مناسب برای ساخت در فرکانس پایین هستند. قبلا در مرجع [3] نشان دادیم که a-IGZO TFT جفت گیتی مشخصات اپتیکی و الکتریکی بهتری در مقایسه با a-IGZO TFT تک گیتی دارد. لیکن برای اینکه سازگار با صنعت صفحه تخت باشد، قابلیت اطمینان درازمدت آن باید تضمین گردد...