چکیده
در این مقاله امکان ساخت ادوات الکترونیکی، در ابعاد کمتر از میکرون، با استفاده از روش لیتوگرافیِ(طرح نگاری) نرم تحقق بخشیده میشود. لیتوگرافی جابجاگر فاز همدیسِ نزدیک میدان، که گونه ای از تکنیک لیتوگرافی نرم میباشد، بر روی یک ابزار تابشی پهن باند، برای ساخت دندانه های گیت در ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا (HEMT) استفاده میگردید. ترانزیستورهای به وجود آمده مبتنی بر روش ذکر شده، گیت هایی به طول 250نانومتر و عرض40 میکرومتر دارند. هدایت انتقالی این ترانزیستور 4 mS بوده و پاسخ مشخصه جریان-ولتاژ آن، مشابه پاسخ جریان-ولتاژ در ترانزیستورهای HEMT معمولی و متداول میباشد.
1-مقدمه
از آنجاییکه استفاده از روش فوتولیتوگرافیِ( لیتوگرافی با نور) متداول، برای اعمال الگوها و طرح های مدنظر، گاها گران قیمت، مشکل و بنا بر توپوگرافی سطحی، غیر کاربردی میباشد، تعدادی روش لیتوگرافی غیر متداول، با هزینه کمتر گسترش یافتند. به کمک لیتوگرافی نرم، تکنیک های ارزان قیمتی، جهت اعمال الگوهایی در ابعاد کمتر از میکرون تا نانومتر، بر روی بسترهای مسطح و غیر مسطح، فراهم شده است. در بررسی های اخیر، تکنیک های لیتوگرافی نرم، شامل قالب بندی باریک، قالب بندی میکروانتقال و چاپ میکروتماسی برای ساخت اجزای الکترونیکی و مدارات ساده با ابعادی در محدوده 20 µm-50 µm به کار گرفته میشدند.
این مطالعات نشان میدهند، لیتوگرافی نرم در این مقیاس بزرگ، با روش های پردازشی که در ساخت ادوات معمولی استفاده میشوند، همخوانی دارد. روش لیتوگرافی نرم در ساخت ادوات الکترونیکی در مقیاس زیر میکرون، به کار نرفته بود. هدف این مقاله این است که، ساخت ترانزیستورHEMT با گیت هایی به طول250 nm را به روش لیتوگرافی جابجاگر فاز همدیسِ نزدیک میدان و با استفاده از استمپ های الاستومتری بررسی کرده و به این ترتیب، کاربرد روش لیتوگرافی نرم را در ساخت ادوات میکروالکترونیکی در ابعاد کمتر از میکرون نشان دهد....
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید