Abstract
The 60 mV/dec limit for subthreshold swing at 300 K is generally considered a fundamental limit that cannot be defeated. The physical origin of this limit is revisited in this paper and the fact that this limit is in part determined by the density-ofstates (DOS) of the source is highlighted. A scheme of engineering this DOS is proposed as a possible way to achieve subthreshold swing much lower than the 60 mV/dec value
چکیده
سوئینگ زیرآستانه (زیر اشباع) ترانزیستور ماسفت برای مشخصه های ولتاژ 60 mV/dec در دمای 300 K به عنوان یک قید(حد) اساسی در نظر گرفته شده است که نمیتوان بر آن غلبه کرد. در این مقاله منشاء فیزیکی این حد دوباره بررسی شده است و نقش این قید در تعیین چگالی حالت منابع(DOS) (جریان ولتاژ) برجسته شده است. برای دستیابی به سوئینگ زیرآستانه 60 mV/dec ، یک طرح مهندسی برای تعیین DOS پیشنهاد شده است.
1-مقدمه
تلفات توان به عنوان یک سد محکمی در مقابل تکنولوژیهای IC است که اجازه یکپارچه سازی آی سی ها در یک سطح بالاتر را نمیدهد..