چکیده
برای اولین بار در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدان تونل‌زنی بر اساس نانوله‌های کربنی نیمه‌رسانا با همپوشانی گیت و درین و گیت ماده دوگانه (OVDMG-T-CNTFET) ارائه، و با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) شبیه‌سازی می‌گردد. در این ساختار از دو فلز با توابع کار متفاوت استفاده می‌شود. فلز نزدیک به سورس، تابع کار بالاتری دارد. این فلز تونل‌زنی را در بخش سورس کانال کنترل کرده و جریان حالت ON را افزایش می‌دهد. ناخالصی بخش درین این ساختار به ناحیه کانال نفوذ کرده و یا به عبارت دیگر یک همپوشانی بین نواحی درین و گیت به وجود می‌آید. نشان داده می‌شود که با انتخاب درستی از طول همپوشانی، رفتار استاتیکی و دینامیکی این قطعه ارتقا می‌یابد. ترانزیستورهای تونل‌زنی رایج از جریان اشباع پایین رنج می‌برند. ساختار پیشنهاد شده به طور قابل توجهی جریان ON را که در کاربردهای سنجشی اهمیت دارد، بالا می‌برد. علاوه براین، این ساختار نسبت جریان، سرعت سویچنگ، فرکانس بهره‌ی واحد FT، ترارسانایی (هدایت انتقالی)، نوسان زیرآستانه‌ای (SS)، اثر حامل داغ و کاهنده‌ی سد درین (DIBL) را در مقایسه با ساختارهای رایج دیگر ارتقا می‌دهد.
1-مقدمه
برای غلبه بر محدودیت‌های پیمایش MOSFETهای اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی، برخی از نیمه‌رساناها از جمله نانو لوله‌های کربنی (CNT) برای جایگزینی سیلیکون به عنوان ماده کانال پیشنهاد شده است. CNTها که توسط Ijima کشف شده است، با توجه به خواص الکتریکی و مکانیکی بسیار عالی که دارند، به عنوان یک ماده مناسب برای آینده‌ی نانوالکترونیک شناخته شده‌اند. در ترازنیستورهای اثر میدانی CNT (CNTFET)، گیت با توجه به ضخامت نانو لوله‌ها کنترل خوبی روی کانال دارد…
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.