Abstract
We have demonstrated the operation of a CMOS inverter consisting of Si tunnel FinFETs. Both p- and n-type tunnel FinFETs are successfully fabricated and operated on the same SOI wafer. The current mismatch between p- and n-type tunnel FETs is compensated by tuning the number of fin channels. Very low short-circuit current and clear voltage input–output characteristics are obtained. The thin epitaxial channel in the tunnel FinFETs effectively increases the drain current and accordingly reduces the drain capacitance, which could help high-performance tunnel FET CMOS inverter operation
چکیده
ما عملکرد یک معکوس‌کننده‌ی CMOS را که از فین‌فت‌های تونلی سیلیکونی تشکیل شده است را نشان داده ایم. هر دو نوع فین‌فت تونلی نوع n و نوع p با موفقیت ساخته و در یک ویفر SOI یکسان بکار گرفته شدند. عدم تطابق در جریان میان فین‌فت‌های کانالی نوع n و p با تیون کردن تعدادی کانال فین، جبران سازی شد. جریانِ اتصال کوتاه بسیار پایین بود و مشخصه‌های ورودی بدست آمدند. کانال اپی‌تکسیال باریک در فین‌فت تونلی، به طور موثری جریان درین را افزایش داده و متعاقبا خازن درین را کاهش می‌دهد، که این می‌تواند به عملکرد خوب معکوس‌کننده‌ی CMOS فت تونلی کمک کند.
1-مقدمه
اینترنت اشیا (IoT) یک موضوع در حال ظهور است. مفهوم آن مبتنی بر یک شبکه‌ی سنسوری "حجیم" با تعداد زیادی گره سنسوری IoT است. این گره‌های سنسوری باید توسط یک منبع توانِ برداشتِ انرژی از انرژی محیط، بدون داشتن باتری ابتدایی، بکارگرفته شوند، چراکه هزینه‌ی تعویض باتری باید برای پیاده‌سازی تعداد بسیار زیادی گره سنسوری کاهش داده شود. در حال حاضر، توان مصرفی یک مدار گره سنسوری ، شامل سنسورهای ممز، یک پردازنده‌ی دیجیتال، حافظه‌های دیجیتال، یک مدل آنالوگ به دیجیتال، و یک سیستم ارتباطاتی RF، به طور قابل ملاحظه ای از یک خازن سورس توان برداشت انرژی بزرگتر است. برای فهم مفهوم IoT، نه تنها افزایش عملکرد برداشت کننده‌ی انرژی بلکه کاهش زیاد در انرژی مصرفیِ مدار سنسور IoT نیز بسیار مهم است....