Abstract
A simple unified analytical compact drain current model for undoped (or lightly doped) triple-gate FinFETs is presented, functional for all regions of operation. A unified normalized sheet charge density is used where the behavior of the subthreshold region is embedded within the expressions commonly used to describe the inversion region. The model can be used as a basis for the development of a short-channel model where short-channel effects can be introduced through proper corrections in the core model. The model has been validated by comparing the transfer and output characteristics and their first derivatives with device simulations
چکیده
در این مقاله مدل ساده، یکپارچه، فشرده و تحلیلی جریان درین برای FinFET های سه گیتی دوپ نشده (یا کمی دوپ شده) ارائه شده است و قابل استفاده برای تمام نواحی کاری می باشد. چگالی بار صفحه ای نرمالیزه شدۀ یکپارچه در جایی استفاده می شود که رفتار ناحیۀ زیرآستانه در عباراتی که معمولا برای توصیف ناحیۀ وارونگی به کار می رود، جای گرفته باشد. این مدل را می توان به عنوان مبنایی برای توسعۀ مدل کانال-کوتاه به کار برد و اثرات کانال-کوتاه را می توان از طریق اصلاحات مناسب به مدل اصلی اضافه کرد. این مدل از طریق مقایسۀ مشخصه های انتقالی و خروجی و مشتقات اول آنها با شبیه سازی های دستگاه مورد تایید قرار گرفته است.
1-مقدمه
در ماه مه 2011، اینتل اعلام کرد که از MOSFET های سه گیتی (TG) به نام FinFET به منظور گسترش تکنولوژی CMOS به گره 22 نانومتری در 2012 استفاده می کند [1]. FinFET ها به دلیل مصونیت از اثرات کانال-کوتاه (SCE) و نزدیکی به فرآوری استاندارد CMOS مسطح حجمی، در بیشتر موارد به عنوان بهترین گزینه برای مقیاس بندی اضافی MOSFET ها، به ویژه پس از اعلام اینتل، شناخته می شوند [1] - [5]...