Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: فناوری باند مرجع CMOS با PSRR بالا و انحنای جبران شده

این مقاله به معرفی فناوری جدیدی برای باند هوایی مرجع CMOS با انحنای جبران شده می‌پردازد که دارای نسبت حذف منبع تغذیه (PSRR) ی بالا می‌باشد
 Abstract

This paper presents a new curvature-compensated CMOS bandgap reference topology with a high power supply reject ratio (PSRR). A dual-differential input amplifier (DDIA) is used to generate a complementary to absolute temperature voltage. This voltage and the DDIA are then used to fine-tune its curvature compensation. Experimental characterization of the bandgap reference circuit implemented on a 0.5 µm CMOS process yielded a bandgap reference voltage with a temperature coefficient (TC) of 4.1 ppm/°C across the temperature range of −40 to 125 °C. A PSRR of 82 dB was also realized with a high output load current driving ability without the use of an external buffer amplifier

چکیده

این مقاله به معرفی فناوری جدیدی برای باند هوایی مرجع CMOS با انحنای جبران شده می‌پردازد که دارای نسبت حذف منبع تغذیه (PSRR) ی بالا می‌باشد. یک تقویت‌کننده با دو ورودی دیفرانسیلی (DDIA) به منظور تولید ولتاژ دمای مطلق مکمل، مورد استفاده قرار گرفته است. این ولتاژ و DDIA سپس برای تنظیم جبران سازی انحنا مورد استفاده قرار گرفته‌اند. مشخصه‌های عملی مدار مرجع باند هوای در یک پروسه CMOS 0.5 μm پیاده‌سازی شده و ولتاژ مرجع باند هوایی با ضریب دمایی (TC) برابر 4.1 ppm/oC در محدود دمایی -40 تا 125 oC به دست آمده است. PSRR نیز برابر 82 dB به دست آمده و جریان بار خروجی بالا سبب شده است که قابلیت این مدار بدون استفاده از تقویت‌کننده بافر خارجی، بهبود یابد.

1-مقدمه

 مقادیر مرجع ولتاژ باند هوایی دقیق (BGR) نقش مهمی را در بسیاری از مدارها و کاربرد آن‌ها از مدارهای آنالوگ گرفته تا مدارهای دیجیتال در مود مختلط، نظیر مبدل‌های A/D، DRAM ها، مبدل‌های قدرت و مدارهای کنترل‌کننده حافظه فلش ایفا می‌کنند که به واسطه دقت بالا و امپدانس دمایی آن‌ها می‌باشد. عملکرد این مدارهای BGR به ضریب دمایی (TC)، نسبت حذف منبع تغذیه (PSRR)، محدوده دمایی (TR)، دقت و مصرف توانشان بستگی دارد. از این رو، ولتاژ مرجع لازم برای آن‌ها باید بر اساس ولتاژ تغذیه و تغییرات دما، تنظیم گردد. مدارهای BGR قدیمی که از تحقیقات Widler و Brokaw الهام گرفته شده‌اند، مدارهای جبران سازی شده دمایی مرتبه اول هستند. ضریب‌های دمایی این مدارهای جبران سازی شده در محدوده 20-100 ppm/oC قرار می‌گیرد. به منظور پوشش محدوده TC، روش‌های متعددی برای جبران سازی دمای مرتبه بالا پیشنهاد شده است...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " فناوری باند مرجع CMOS با PSRR بالا و انحنای جبران شده " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
فناوری باند مرجع CMOS با PSRR بالا و انحنای جبران شده
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Analog Integr Circ Sig Process
سال انتشار
2015
کد محصول
1007740
تعداد صفحات انگليسی
8
تعداد صفحات فارسی
12
قیمت بر حسب ریال
940,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
1 مگا بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 940500 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:





Bandgap voltage reference
High-order curvature compensation
Temperature coefficient

تاریخ انتشار در سایت: 2016-04-25
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید