Abstract
The effect of phonon scattering on the intrinsic delay and cutoff frequency of Schottky-barrier carbon nanotube (CNT) FETs (CNTFETs) is examined. Carriers are mostly scattered by optical and zone-boundary phonons beyond the beginning of the channel. It is shown that the scattering has a small direct effect on the dc on current of the CNTFET, but it results in a significant decrease of intrinsic cutoff frequency and increase of intrinsic delay
چکیده
اثر پراکندگی فونون بر روی تاخیر ذاتی و فرکانس قطع و سد شاتکی ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی آزمایش شد. حامل‌ها اغلب به وسیله فونون‌های منطقه مرزی و اپتیکال بعد از شروع کانال پراکنده می‌شوند. همان‌گونه که دیده می‌شود پراکندگی به طور مستقیم تاثیر کمی بر روی جریان DC د رحالت روشن ترانزیستور دارد اما کاهش چشمگیری را در فرکانس قطع و افزایش تاخیر ذاتی منتج می‌شود.
1-مقدمه
نانولوله های کربنی تک جداره با ویژگی‌های انتقال حامل عالی موجب ایجاد انگیزه‌ای قوی در زمینه کاربردهای بالقوه CNTFETها در الکترونیک فرکانس رادیویی(RF) و دیجیتال شد. آزمایش‌های زیادی تاکنون انجام شده که منجر به کشف ویژگی‌های AC در CNTFETها گردید.[1,3] محاسبات تئوری فرکانس قطع و زمان تاخیر CNTFETها، بر اساس فرضیات انتقال بالستیک که کار پیش بینی عملیات در محدوده تراهرتز(THz) را انجام می‌دهد قرار داده شده است...