Abstract
In a VLSI circuit, about 70 percent of area occupies by Interconnection. Such a large number of area occupation leads to many limitations of fabricating and applying in binary circuit implementation. Multiple-valued logic is one of the most proper way to improve the ability of value and data transferring in binary systems. Nowadays as small portable devices consuming are largely increased, applying low power approaches are considerably taking into account. In this paper we suggest and evaluate a novel low power ternary full adder cell which is built with CNTFETs (Carbon Nano-Tube Field Effect Transistors). Using beneficial characteristics of CNTFET in our design and implementation notably increased the efficiency of this adder cell. Simulation results using HSPICE are reported to show that the proposed TFA (ternary full adder) consume significantly lower power and impress improvement in term of the power delay product compare to previous work
چکیده
در یک مدار VLSI، حدود 70 درصد از فضای تراشه توسط اتصالات مصرف می شود. چنین حجم مصرفی وسیعی منجر به محدودیتهای فراوانی در ساخت و به کار گیری در پیاده سازی مدارات باینری می شود. منطق ارزش چندگانه یکی از مناسب ترین روش ها برای بهبود قابلیت ارزش و انتقال داده ها در سیستم های باینری است. امروزه استفاده از دستگاههایی که انرژی مصرفی پایین تری را می طلبند افزایش یافته است و به صورت قابل توجهی روش های ساخت نیز رو به دستگاههای کم مصرف نهاده اند. در این مقاله ما یک روش نوآورانه با نام سلول تمام جمع کننده سه گانه کم مصرف را پیشنهاد و بررس می کنیم که با CNTFET ها ( ترانزیستور های اثر میدانی نانو تیوب کربنی ) ساخته شده اند. استفاده از خواص بهینه این گونه ترانزیستور ها در طراحی و پیاده سازی خود به صورت قابل توجهی منجر به افزایش یافتن کارایی این گونه تمام جمع کننده ها شده است. نتایج به دست آمده از شبیه سازی ها که با استفاده از HSPICE انجام شده است نشان می دهند که روش پیشنهادی ( تمام جمع کننده سه گانه ) توان مصرفی بسیار پایینی دارد و در مقایسه با کارعای قبلی سبب بهبود تولید تاخیر توان می شود.
1-مقدمه
براساس قانون مور، تعداد ترانزیستورهای موجود در بر روی یک تراشه هر دو سال یکبار در حدود دوبرابر افزایش می یابد. به همین دلیل ما نیز اندازه ترانزیستور را با مقیاس نانو در نظر گرفته ایم. و کار خود را در چنین محیطی پیاده سازی کرده ایم. با توجه با محدودیتهای موجود در ترانزیستور های اثر میدانی سیلیکونی ( FET )، یافتن روش جایگزین مناسبی اهمیت فراوانی دارد. با توجه به آنکه ترانزیستور ها را به مقیاس نانو را به کاهش داده ایم، تعدادی از موادی با مقیاس نانو نظیر نانو تیوب های کربن به عنوان جایگزینی برای دستگاههای مبتنی بر سلیکون پیشنهاد داده شده اند...