Abstract
In this Letter, the authors investigate the use of carbon nanotube-based field effect transistors (CNTFET) for the design of a ternary static random access memory (SRAM). The authors consider two designs - one using 8 transistors and the other using 14 transistors. Using circuit simulation models for CNTFETs, the authors show that both designs produce a functional ternary SRAM cell. The authors also measure the delay and power of the read-and-write operation of the ternary SRAM created using both models and show that the delays are comparable
چکیده
در این مقاله نویسندگان آن استفاده از ترانزیستور های اثر میدانی مبتنی بر نانو تیوب کربن (CNTFET ) را برای طراحی یک حافظه RAM ایستای سه گانه بررسی کرده اند. محققان این مقاله دو طراحی، یکی با 8 ترانزیستور و دیگری را با 14 ترانزیستور در نظر گرفته اند. با استفاده از مدل شبیه سازی مداری برای CNTFET ها، محققان نشان داده اند که هر دو طراحی مذکور، یک سلول SRAM سه گانه کاربردی را تولید می کنند. همچنین نویسند گان این مقاله، تاخیر و توان عملیات خواندن و نوشتن SRAM سه گانه تولید شده را با استفاده از هر دو مدل ایجاد کرده اند و نشان داده اند که تاخیر بوجود آمده قابل مقایسه است.
1 – مقدمه
نانو تیوب های کربن :
یافتن جایگزینی برای تکنولوژی سلیکون همواره مبحث تحقیقاتی بزرگی در ساختار های مداری و مواد غیر سلیکونی بوده است. از میان دستگاههای زیادی، خواص الکتریکی فوئق العاده نانو تیوب های کربن آن را به جایگزین مطمئنی برای این مواد تبدیل کرده است. این نانو تیوب کربن در اوایل دهه 1990 میلادی کشف شد...