Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: طراحی جدید فول ادر مبنای سه با استفاده از CNTFETها

این مقاله طرحی جدید از فول ادر مبنای سه مبتنی بر ترانزیستور (TFA ) را با استفاده از ماهیت ذاتی باینری (1و0) کری ورودی در تکنولوژی اثر میدان نانولوله ی کربنی (CNTFET) پیشنهاد می دهد

Abstract

This paper proposes a novel design of pass transistor-based ternary full adder (TFA) cell using inherent binary nature (0, 1) of input carry in carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) technology. A buffer circuit is added to get high performance without sacrificing the overall energy efficiency of the design. The use of pass transistor logic style leads to low power consumption. The proposed TFA is examined exhaustively, using Synopsys HSPICE simulator with 32 nm Stanford CNTFET model in various test conditions and at different supply voltages. The proposed design has high driving capability and is robust. At 0.9 V power supply, the proposed design shows 69 % reduction in power–delay product in comparison with its counterpart, recently published in the literature

چکیده

این مقاله طرحی جدید از فول ادر مبنای سه مبتنی بر ترانزیستور (TFA) را با استفاده از ماهیت ذاتی باینری (1و0) کری ورودی در تکنولوژی اثر میدان نانولوله ی کربنی (CNTFET) پیشنهاد می دهد. یک مدار بافر برای رسیدن به عملکرد بالا بدون از دست دادن باده انرژی کلی طرح اضافه می شود. استفاده از ترانزیستور عبور منطقی منجر به مصرف کم توان می شود. TFAی پیشنهادی با استفاده از شبیه ساز Synopsis HSPICE با مدل Stanford CNTFET 32 nm، در شرایط تست مختلف و و لتاژهای منبع مختلف بطور جامع بررسی می شود. طرح پیشنهادی قابلیت کنترل زیادی دارد و مقاوم است. در منبع تغذیه ی 0.9 V، طرح پیشنهادی 69 درصد کاهش در ضرب تاخیر در توان، در مقایسه با همتای خود که اخیرا در متون علمی منتشر شده را نشان می دهد.

1-مقدمه

مقیاس بندی فناوری CMOS فعلی به محدوده ی نانو چالش های بحرانی مختلفی ایجاد کرده و مسائلی در خصوص اطمینان پذیری مثل تونل زنی الکترون مستقیم از طریق کانال های کوتاه و فیلم های عایق کننده ی نازک، تغییر در ساختار افزاره و دوپینگ، تغییرات بزرگتر در فرایند، کاهش کنترل گیت و وجریان نشتی زیاد ایجاد کرده است. برای حل این مسائل، دانشمندان و محققان به دنبال گزینه های جایگزین جدید برای CMOS  سنتی هستند. ترانزیستور اثر میدان نانولوله ی کربن (CNTFET) به دلیل شباهتش با MOSFET ازلحاظ خصوصیات ذاتی و هم چنین ویژگی های عالی مختلفش از جمله ساختار باند 1-D ی منحصر به فرد، عملکرد انتقال بالستیکی و جریان Off-current  کم میتواند یک جایگزین خوب باشد...


موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " طراحی جدید فول ادر مبنای سه با استفاده از CNTFETها " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
طراحی جدید فول ادر مبنای سه با استفاده از CNTFETها
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Computer Engineering and Computer Science
سال انتشار
2014
کد محصول
1005525
تعداد صفحات انگليسی
8
تعداد صفحات فارسی
17
قیمت بر حسب ریال
940,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
1 مگا بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 940500 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:



Ternary logic
Carbon nanotube (CNT) field effect transistor (CNTFET)
Ternary full adder

تاریخ انتشار در سایت: 2015-09-05
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید