چکیده
یک تقویت کننده کم نویز CMOS 90-nm (LNA) برای کاربردهای فوق پهن باند 3–10-GHz ارائه می شود. مدار یک ساختار دو طبقه ای تک سر (single-ended) دارد. اولین طبقه بر اساس یک توپولوژی استفاده دوباره از جریان است و تطبیق ورودی UWB (3–10 GHz) را صورت می دهد. دومین طبقه یک تقویت کننده آبشاری با بار تشدیدی است که بهره و ایزولاسیون معکوس را بهتر می کند. به دلیل مزیت این تکنیک مدار و روش طراحی، LNA ، تطبیق ورودی، نویز کم، بهره یکنواخت و تغییر تاخیر گروه کمی را در محدوده فرکانس UWB با حداقل مصرف توان به دست می دهد. همچنین این طرح می تواند از عهده مسائل کاربردی نظیر سطح مشترک های بیرون از تراشه کم هزینه و قدرت تخلبه الکتروستاتیک برآید. اندازه گیری ها، یک بهره توان 12.5-dB در یک پهنای باند 7.6-GHz 3-dB، مینیمم رقم نویز 3 dB، ایزولاسیون معکوس بهتر از 45 dB تا 10.6 GHz و یک تغییر تاخیر گروهی کوچک برابر با ±12 ps را نشان می دهند. این LNA ، 6 mA از یک منبع تغذیه 1.2 V می کشد.
1-مقدمه
در طی دهه گذشته، در دسترس پذیری طیف 3.1–10.6-GHz برای ارتباطات فوق پهن باند (UWB)، توجه صنعت و تحقیقات را به ساخت مجموعه جدیدی از کاربردهای بازار انبوه کشانده است. در واقع ظرفیت تولید و بازده قابل حصول و بالای پهنای باند، نرخ داده بالایی (HDR) (100 Mb/s) را در ارتباط بیسیم با دامنه های کوتاه (1–10 m) برای اتصال های تک کاره بین دستگاه های ارتباطی و الکترونیکی قابل حمل مصرف کننده فراهم می کند. یک مد متفاوت کار از رزولوشن زمانی بالای سیگنال های پالسی UWB استفاده می کند تا تعیین محل/ردیابی قابلیت ها برای ارتباطات با نرخ داده کم (LDR) را ممکن سازد. در این کاربردها که بیشتر بای شبکه های سنسوری بیسیم () است، نرخ داده می تواند از 1 kbit/s تا 1 Mbit/s باشد که دامنه آن حدودا بین 100–300 m است....
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید