دانلود ترجمه مقاله درباره ترانزیستور تونلینگ اثر میدانی
در این قسمت از سایت موسسه ترجمه البرز ترجمه مقاله ( هایی ) درباره
ترانزیستور تونلینگ اثر میدانی
برای دانلود ارائه شده است. دانلود رایگان مقاله انگلیسی
ترانزیستور تونلینگ اثر میدانی
میسر است
و ترجمه فارسی مقاله
ترانزیستور تونلینگ اثر میدانی
نیز بلافاصله پس از پرداخت هزینه، به صورت فایل Word قابل دانلود خواهد بود.
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Microelectronics Reliability
سال انتشار
2014
کد محصول
1006011
تعداد صفحات انگليسی
14
تعداد صفحات فارسی
23
قیمت بر حسب ریال
1,165,000
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
رشته
(
های
)
مهندسی برق ، مهندسی كامپيوتر