چکیده
اگر گرافن امید دستگاه های نانوالکترونیکی را همیشه زنده نگه دارد، یک راه آسان و ارزان برای تولید عمده، یک شرط لازم است. روش بسط قابلیت های رسوبگیری بخار شیمیایی بهبود یافته با پلاسما به سنتز گرافن چند لایه ای ساده ارئه می شود. ورقه های با مساحت های میکرومتر شامل چهار تا شش لایه اتمی ورقه های توده گرافنی به وسیله بازترکیب کنترل شده ی رادیکال های کربنی در یک پلاسمای میکروویو سنتز شده اند. یک روش ساده و بسیار تکرارپذیری لازم است چون ورقه های حاصل را می توان بدون نیاز به یک کاتالیست روی سطح هر زیرلایه ای که تحمل دما تا 700 ◦C را داشته باشد، سنتز نمود. یک تحلیل ساختار کامل از ورقه های با میکروسکوپ الکترونی، پراش پرتو ایسک ، اسپکتروسکوپی رامان و میکروسکوپ تونل زنی روبشی انجام می شود. ورقه های گرافن حاصل بطور عمودی با سطح زیرلایه تراز می شوند و بر طبق یک فرآیند سه مرحله ای رشد می یابند.
1-مقدمه
یک ورقه از اتم های کربن هیبدرید sp2 ، کریستال دو بعدی گرافن (بلوک اولیه ساختمان گرافن) را تعریف می کند. گرافن نخست از لز گرافیت حجیم به دقت با روش های رویه سابی پیچیده جدا می شود که امکان مطالعه خصوصیات فیزیکی آن را ممکن می سازد. تاکنون تعداد زیادی از مقالات مشخصات الکترونیکی موجود گرافن از جمله دمای اتاق معادل اثر هال کوانتومی و الکترون هایی که رفتاری مشابه فرمیون های بدون جرم دارند، را گزارش کرده اند. به دلیل تحرک بسیار بالا و امکان تنظیم رسانندگی الکترونیکی از طریق اثر میدانی، گرافن نیز یک ماده بسیار امیدبخش برای کاربردهای الکترونیکی آتی است. بررسی اخیر توانایی گرافن در آشکارسازی مولکول های گازی منفرد جذب شده روی سطح، آشکارسازهای شیمیایی حساسی را به لیست کاربردهای احتمالی آینده اضافه می کند.
یک مانع در برابر دستگاه های گرافنی، نبود روشی برای تولید انبوه است. رویه سابی مکانیکی و رشد اپی تکسیال عموما ورقه های گرتفنی تک، دو لایه یا سه لایه تولید می کند ولی آنها پیچیده بوده و احتمالا کاندیدی برای تولید انبوه به شمار نمی روند. اخیرا نشان داده شده است که اکسید گرافیت بعد از این که یک قطره از این سوسپانسیون به گرافن بطور شیمیایی کاهش یابد، به آسانی در آب سابیده می شود...
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.