چکیده

در این مقاله سلول‌های خورشیدی پیوندگاه شاتکیِ (گرافن/n-Si) تک لایه، تحت تابش استاندارد AM1.5 را تشریح می‌نماییم به طوریکه این سلول بازدهی تبدیل انرژیِ (PCE) 8.6% را از خود نشان می‌دهد. این بازدهی، با بهره‌گیری از دوپینگ گرافن با بیس-(تری فلورومتان سولفونیل)آمید به دست آمد به طوری که بازدهی سلول خالص (بدون دوپ) را 4.5 برابر افزایش و آن را به بالاترین بازدهی تبدیل انرژی (PCE) از سلول‌های خورشیدی گرافنی که تا به امروز گزارش شده، تبدیل کرده است. اندازه‌گیری‌های مربوط به ولتاژ-جریان، ظرفیت خازنی-ولتاژ و بازدهی کوانتومی خارجی، یک افزایش را نشان داد که می‌تواند به علت تبدیل پتانسیل شیمیایی گرافن پس از اعمال دوپینگ باشد، به طوری که چگالی‌ حامل‌های بارِ گرافن (کاهش مقاومت سری سلول) و پتانسیل داخلی سلول‌ها (افزایش ولتاژ مدار باز) را افزایش داده و باعث بهبود عامل انباشتگی سلول می‌شود.

1-مقدمه

به تازگی لایه‌های نازک، شفاف و رسانایِ (الکتریکی) نانولوله‌های کربنی که بر روی سیلیکون‌های نوع n لایه نشانی شده‌اند، برای ساخت سلول‌های خورشیدی پیوندگاه شاتکی با بازدهی‌های مناسب استفاده ‌می‌شوند [1]. چگالی حالت‌های الکترونی پایین، امکان تلفیق انتقال بارهای شیمیایی و الکترونی را مهیا ساخته تا بدین وسیله از پتانسیل شیمیایی نانولوله‌ها جهت بهبود چشمگیر در عملکرد نهایی این قطعات (سلول) بهره‌برداری شود...

 میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید