Abstract
In terms of power loss, a MOSFET has two advantages over an IGBT with an antiparallel diode: purely resistive without an offset voltage in conduction and no tail current at turn-off. However, the reverse recovery characteristic of the body diode is so poor that MOSFETs have not yet been available for high-voltage power converters with bidirectional power flow legs. This paper introduces how MOSFETs can be fully applied to high-voltage power converters with bidirectional power flow legs in order to achieve high efficiency. With a bidirectional DC–DC converter with one leg as the simplest example, the basic circuit topology and operating principle are described in detail. The high efficiency and stable operation of the proposed converter are validated through experiments with a 1.5 kW prototype
چکیده
از لحاظ تلفات توان، یک ماسفت دو دو برتری نسبت به یک IGBT با یک دیود موازی ناهمسو دارد: کاملا مقاومتی بدون ولتاژ آفست در هدایت و جریان دنباله در خاموشی. اگرچه مشخصه ی احیای معکوس دیود به قدری کوچک است که ماسفت ها هنوز برای مبدل های توان ولتاژ بالا با جریان توان دوطرفه در دسترس قرار نگرفته اند. این مقاله بیان می کند که چگونه ماسفت ها می توانند کاملا برای مبدل های توان ولتاژ بالا با جریان توان دوطرفه به منظور دستیابی به بازده بالا مورد استفاده قرار گیرند. با یک مبدل DC-DC ی دوطرفه با یک شاخه به عنوان ساده ترین مثال، توپولوژی مدار پایه و اصول کاری با جزئیات توصیف می شوند. بازده بالا و عملکرد پایدار مبدل پیشنهادی به وسیله ی آزمایش با یک نمونه ی اولیه ی 1.5 KW اعتبار سنجی می شوند.
لغات شاخص- دوطرفه، دیود بدنه، پربازده، ماسفت، احیای معکوس
مقدمه
مبدل های توان با بازده بالا اخیرا برای کاربردهای مختلف با نرخ کاری بالا از جمله در تهویه ی ها، ژنراتورهای توان فتوولتائیک، و ژنراتورهای توان بادی پیشنهاد شده اند [1- 8]. این مبدل ها نیازمند هزینه ی اضافی از جمله افزایش تعداد یا هزینه ی دستگاه های سوئیچینگ هستند. اگرچه کاهش تلفات توان می تواند نه تنها هزینه ی خنک سازی را کاهش دهد، بلکه مقدار قابل توجهی از هزینه ی انرژی را به دلیل زمان کاری طولانی کاهش می دهد…