لیست مقالات ترجمه شده / خرید و دانلود
شما در حال
خرید ترجمه فارسی مقاله A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement هستید:
شما در حال
خرید ترجمه فارسی مقاله A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement هستید:
پیش از اقدام به خرید ترجمه فارسی می توایند نسخه انگلیسی را به صورت رایگان دانلود و بررسی نمایید. متن چکیده و ترجمه آن در پایین همین صفحه قابل مشاهده است.
موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Microelectronics Reliability
سال انتشار
2011
کد محصول
1001562
تعداد صفحات انگليسی
8
تعداد صفحات فارسی
22
قیمت بر حسب ریال
1,083,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
Abstract
In this paper, a near-triangular buried-oxide partial silicon-on-insulator (TB-PSOI) lateral double-diffused MOS field-effect transistor is proposed. The electric field and electrostatic potential in this structure are modified by the gradual buried-oxide thickness increase. The modification includes the addition of a new peak in the electric field in comparison to that of the conventional PSOI. To assess the efficiency of the proposed structure, its breakdown voltage is compared with that of conventional PSOI using two-dimensional simulations. A comparative study is performed in terms of silicon-film and buried-oxide layer thicknesses, drift region and buried-oxide layer lengths, and drift region doping concentrations. The study shows that under the same drain current, the breakdown voltage of TB-PSOI is nearly two times higher than its PSOI counterpart (108% improvement). Simulation results show that the three-stepped oxide layer closely follows the TB-PSOI structure with a breakdown voltage improvement of 96% compared to that of the PSOI structure
چکیده
در این مقاله، یک ترانزیستور اثر میدان الکتریکی MOS با دیفیوژن دوگانه جانبی با اکسید مدفون شده شبه مثلثی با سیلیکون بر عایق جزئی (PSOI) ارائه میشود. میدان الکتریکی و پتانسیل الکترواستاتیکی در این ساختار توسط افزایش ضخامت تدریجی اکسید مدفون شده اصلاح می شود. این اصلاح شامل اضافه شدن یک پیک جدید به میدان الکتریکی در مقایسه با PSOI رایج است. برای ارزیابی کارایی ساختار ارائه شده، مقایسه ولتاژ شکست آن با PSOI معمولی با استفاده از شبیه سازی های دوبعدی انجام می شود. همچنین عملکرد ساختار در ضخامت های مختلف فیلم سیلیکونی و لایه اکسید مدفون شده، ناحیه دریفت، طول لایه اکسید مدفون شده، و غلظت دوپینگ نواحی دریفت بررسی می شود. این بررسی ها نشان می دهد که تحت جریان درین یکسان، ولتاژ شکست TB_PSOI تقریبا دو برابر ساختار PSOI ساده است (بهبود به میزان 108%(. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که لایه اکسیدی سه پله ای، نتایج بسیار نزدیکی با ساختار TB-PSOI (با بهبود ولتاژ شکست به میزان 96%) در مقایسه با PSOI ساده به دست می دهد.
1-مقدمه
در سالهای اخیر، ترانزیستورهای اثر میدان الکتریکی MOS با دیفیوژن دوگانه جانبی، کاربردهای بسیاری در زمینه تجهیزات قدرت یکپارچه ولتاژ بالا و هوشمند یافته اند [1 و2]. از مزیتهای این عناصر نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان الکتریکی MOS سنتی با دیفیوژن دوگانه جانبی عمودی (VDMOSFET)، کاهش مراحل تولید، قابلیت خروجی های چندگانه بر روی یک چیپ، و سازگاری با فناوری های نوین VLSI است [3]. LDMOSFETهای ایجاد شده با فرایندهای VLSI، دورنمای ICهای هوشمند قدرت را به واقعیت تبدیل می کنند. برای بهبود عملکرد LDMOSFETها، ساختارهای مختلفی ارائه شده اند [6-4]. یک مورد مناسب در این زمینه، ساختار میدان سطحی کاهش یافته (RESURF) است که بین مقاومت حالت روشن و ولتاژ شکست بده بستان ایجاد می کند [10-7]. فرایند سیلیکون بر عایق (SOI) با افزایش بیش از پیش ولتاژ شکست، برتری بسیار بزرگی را در مقایسه با ایزولاسیون سنتی پیوند ایجاد می کند و در فرایند تولید تجهیزات جانبی ولتاژ بالای قدرت بسیار مورد توجه قرار گرفته است [11]. ساختارهای برپایه SOI در مقایسه با همتایان ساده خود با عناصر سیلیکونی، دارای پایداری حرارتی بالا هستند زیرا اثر روشن شدن دوقطبی نویزدار در این ساختارها حذف شده و دریفت ولتاژ آستانه کاهش می یابد…
خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز