چکیده
مکانیزم رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره طویل و ترازمند با استفاده از یک روش اخیرا گزارش شده به نام رسوبگیری بخار شیمیایی (CVD) با "حرارت دهی سریع" بحث می شود. اثر سرعت حرارت دهی در مرحله اولیه فرآیند CVD بطور سیتماتیک بررسی شده است و یک مکانیزم کایت (kite) برای رشد نانوتیوب پیشنهاد می شود. درک مکانیزم رشد ما را قادر می سازد تا آزمایشات آینده را طراحی کرده و کنترل بهتری را از موفولوژی نانوتیوب های تولید شده به دست بیاورد.
1-مقدمه
رشد نانوتیوب های کربنی تک دیواره منفرد طویل (مقیاس nm تا cm)(SWNTs) با جهتگیری کنترل شده با استفاده از روش رسوبگیری بخار شیمیایی با حرارت دهی سریع، تاثیرات مهمی را برای کاربردهای آینده در نانوالکترونیک و مواد کامپوزیت بسیار مقاوم خواهد داشت. نتایج نه تنها کنترل جهتگیری نانوتیوب های منفرد روی یک زیرلایه را با استفاده از جریان گاز تغذیه کننده نشان می دهد، بلکه آنها نشان می دهند که نانوتیوب ها می توانند تحت شرایط مناسب در طول میکروسکوپیک رشد داده شوند. برای کاربرد در نانوالکترونیک، قابلیت کنترل محل و جهت نانوتیوب های منفرد شرط مهمی برای تولید دستگاه ها در مقیاس بزرگ دارد در حالی که برای مواد کامپوزیت بسیار مقاوم، طول زیاد هر نانوتیوب منفرد، انتقال بار بین نانوتیوب ها و ماتریس ها را بهبود خواهد داد. با این همه در گزارش های قبل، مبدا ترازمندی و طول زیاد بوضوح مشخص نشده بود. به دیت اوردن دیدگاه ها درباره مکانیزم رشد این نانوتیوب های طویل اهمیت علمی و فنی در طراحی آزمایشات آتی برای نیل به کنترل بهتر زشد نانوتیوب دارد. در مقایسه با روش های متداول رسوبگیری بخار شیمیایی که نانوتیوب های با جهات تصادفی و کوتاه تر تولید می کنند، گاز تغذیه کننده، کاتالیست ها و بسیاری از شرایط آزمایشی دیگر در CVD با حرارت دهی سریع، مشابه هستند...
میتوانید از لینک ابتدای صفحه، مقاله انگلیسی را رایگان دانلود فرموده و چکیده انگلیسی و سایر بخش های مقاله را مشاهده فرمایید.