Skip Navigation Linksلیست مقالات ترجمه شده / مقالات ترجمه شده مهندسی برق /

عنوان ترجمه شده مقاله: مدل تحلیلی یکپارچه جریان قابل اجرا در حالت تجمعی (بدون پيوندگاه) وحالت معکوس MOSFET با ساختارهای متقارن و نامتقارن گیت دوگانه

یک مدل تحلیلی یکپارچه، بر مبنای یک راه حل تقریبی معادله پواسون، برای منحنی مشخصه های جریان ولتاژ (I-V) در حالت تجمعی (FET های بدون پیوند) و حالت معمولی MOSFET های معکوس که دارای ساختارهای متقارن و نامتقارن گیت دوگانه هستند، ارائه شده است.

Abstract

A unified analytical continuous model, based on an approximate solution of Poisson’s equation, is proposed for the current–voltage (I–V) characteristics of accumulation mode (junctionless FETs) and conventional inversion mode MOSFETs which have symmetric and asymmetric double-gate structures. As a unified model, it is applicable to both junctionless and conventional double-gate (DG) MOSFETs and also represents the I–V characteristics of the MOSFETs with symmetric and asymmetric cases. The model with symmetric and asymmetric gates accounts for body doping, body thickness, and front-gate and back-gate oxide thicknesses. The model is verified by comparing with TCAD simulation results and shows a good agreement

چکیده

یک مدل تحلیلی یکپارچه، بر مبنای یک راه حل تقریبی معادله پواسون، برای منحنی مشخصه های جریان ولتاژ (I-V)  در حالت تجمعی (FET های بدون پیوند) و حالت معمولی  MOSFET های معکوس که دارای ساختارهای  متقارن و نامتقارن گیت دوگانه هستند، ارائه شده است. به عنوان یک مدل واحد، این مدل در هر دو ماسفتهای بدون پیوند و ماسفت های معمولی دو گیته قابل اجرا است و همچنین نشان دهنده مشخصه های I-V  از MOSFET های با حالتهای متقارن و نامتقارن است. مدل با گیت های متقارن و نامتقارن برای دوپینگ بدنه، ضخامت بدنه، و ضخامت اکسید پشت و جلوی گیت در نظر گرفته شده است. نتایج حاصل از این مدل با نتایج شبیه سازی TCAD  مقایسه شده و نتایج مطابقت بسیار خوبی باهم دارند.

1-مقدمه

ترانزيستورهاي MOSFET بدون پيوند (JL) به تازگی ارائه شده اند و طبق نتایج تجربی نشان داده در[1-3]  این ترانزیستورها یک ترانزیستور بدون پیوند سورس/درین هستند و کاربردهای گسترده ای دارند و توسط ضخامت بدنه سیلیکونی طراحی شده اند و می تواند تحت کنترل بایاسهای گیت روشن و خاموش شوند. ماسفتهای JL  دارای ویژگی های مطلوب بسیاری مانند نبود اتصالات ناگهانی (که فرآیند تولید آنها را دشوار می سازد)، یک ساختار تولید ساده شده و غیره هستند. تحقیقات تئوری در مورد JL MOSFET با ساختار متقارن دو گیته [4]  و ساختار نانوسیم استوانه ای شکل (NW) [5] بررسی شده اند. مدلی از یکJL SOI-FET  [6] گزارش شده است. تفاوت عمده بین ماسفتهای JL  و ماسفتهای متداول حالت معکوس، در نوع دوپینگ بدنه آنها  (دوپینگ بدنه نوع n برای JL MOSETs  ها و دوپینگ بدنه نوع p برای ماسفتهای متعارف نوع n) و حالت انتقال (حالت تجمعی برای ماسفتهای JL و حالت معکوس برای ماسفت های معمولی) می باشد...



موسسه ترجمه البرز اقدام به ترجمه مقاله " مهندسی برق " با موضوع " مدل تحلیلی یکپارچه جریان قابل اجرا در حالت تجمعی (بدون پيوندگاه) وحالت معکوس MOSFET با ساختارهای متقارن و نامتقارن گیت دوگانه " نموده است که شما کاربر عزیز می توانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و مطالعه ترجمه چکیده و بخشی از مقدمه مقاله، ترجمه کامل مقاله را خریداری نمایید.
عنوان ترجمه فارسی
مدل تحلیلی یکپارچه جریان قابل اجرا در حالت تجمعی (بدون پيوندگاه) وحالت معکوس MOSFET با ساختارهای متقارن و نامتقارن گیت دوگانه
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Solid-State Electronics
سال انتشار
2013
کد محصول
1010687
تعداد صفحات انگليسی
4
تعداد صفحات فارسی
11
قیمت بر حسب ریال
841,500
نوع فایل های ضمیمه
Pdf+Word
حجم فایل
2 مگا بایت
تصویر پیش فرض


این مقاله ترجمه شده را با دوستان خود به اشتراک بگذارید
سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق را مشاهده کنید.
کاربر عزیز، بلافاصله پس از خرید مقاله ترجمه شده مقاله ترجمه شده و با یک کلیک می توانید مقاله ترجمه شده خود را دانلود نمایید. مقاله ترجمه شده خوداقدام نمایید.
جهت خرید لینک دانلود ترجمه فارسی کلیک کنید
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده
برای کسب اطلاعات بیشتر، راهنمای فرایند خرید و دانلود محتوا را ببینید
هزینه این مقاله ترجمه شده 841500 ریال بوده که در مقایسه با هزینه ترجمه مجدد آن بسیار ناچیز است.
اگر امکان دانلود از لینک دانلود مستقیم به هر دلیل برای شما میسر نبود، کد دانلودی که از طریق ایمیل و پیامک برای شما ارسال می شود را در کادر زیر وارد نمایید


این مقاله ترجمه شده مهندسی برق در زمینه کلمات کلیدی زیر است:



Junctionless
Double-gate
MOSFETs
Modeling

تاریخ انتشار در سایت: 2017-06-13
جستجوی پیشرفته مقالات ترجمه شده

خدمات ترجمه تخصصی و ویرایش مقاله مهندسی برق در موسسه البرز

نظرتان در مورد این مقاله ترجمه شده چیست؟

ثبت سفارش جدید