Abstract
The continued demand for higher density electronic circuits will meet several barriers with the next few years. One of the more obvious ones is the need for reliable method to grow ultrathin dielectric films, such as Al2O3, AlN, TiO2, Si3N4 and SixNy. Here, we dissolve X- ray photoemission spectrum into Si2p, Si2s , O1s and N1s. The nitride and oxide film growth procedures are similar and we have thus paid attention to oxide and nitride film growth. We have grown oxide and nitride film on Si (100) substrates. The growth processes of oxide and nitride film on the Si (100) surfaces have been studied by X-ray photoemission spectroscopy. The structural issues were reflected in the deconveluted spectra, as we discussed in our recent works [2-15]. We consider SiO2/Si (100) and Si3N4/Si (100) spectra with referring to our published paper
چکیده
با ادامه تقاضا برای مدارهای الکترونیکی با چگالی بالاتر در چند سال آینده با موانع متعددی روبرو خواهیم شد. یکی از مشخص ترین موانع نیاز به روشی قابل اطمینان برای رشد نوارهای دی الکتریک فوق نازک مانند Al2O3، AIN، TiO2، Si3N4 و SixNy می باشد. در اینجا، طیف انتشار نوری اشعه X را در Si2P، Si2S، O1s و N1S حل می کنیم. فرایندهای رشد نوار اکسید و نیرترید مشابه هستند لذا توجه ما به رشد نوار نیترید و اکسید است. ما نوارهایی از نیترید و اکسید را روی بدنه های Si(100) رشد داده ایم. فرایندهای رشد نوار نیترید و اکسید روی Si(100) با اسپکتروسکوپی انتشار نوری اشعه X بررسی شده اند. مسائل ساختاری در طیف دکانوالو شده نشان داده شدند، مانند بحث ما در کارهای اخیر [2-15]. طیف های SiO2/Si و Si3N4 را با ارجاع به مقالات منتشر شده در نظر می گیریم.
1-مقدمه
توسعه میکروالکترونیک به خاطر کوچک شدن مداوم ابعاد دیوایس های الکترونیکی وارد گستره نانومتری شده است [1-5]. اکسید سیلیکون یک ماده بحرانی منحصربفرد در فناوری نیمه هادی سیلیکونی است، چرا که مولفه عمده ای برای دیوایس های MOS و MISمی باشد [6-99]. بنابراین، باریکترین طول کانال در مدارات مجتمع حال حاضر اکسید گیت است. لایه دی الکتریک نازک پایه ساختارهای دیوایس اثر میدان را تشکیل می دهد [10-13]...